MEMS封装到3D IC的关键技术─矽贯通电极(TSV)

摘要

在MEMS产业蓬勃发展之际,国内外厂商无不积极抢攻MEMS的大饼,2008年3月在SEMICON CHINA的MEMS研讨会,台积电MEMS团队(主流技术事业发展处)对外表示,已可整合MEMS与传统CMOS制程,让过去被定义为少量多样的MEMS晶片在CMOS制程平台上发挥量大优势。然而综观MEMS制造与封装各道制程之后,可以发现矽贯通电极(TSV)的制程在MEMS元件共用性高,以及全球各大MEMS的产品都有看到矽贯通电极技术的产品。本文将介绍矽贯通电极技术与全球大厂发展状况,并看好其技术未来可以衍伸许多3D IC的应用。

TSV扩展应用技术,从MEMS至3D IC

Source:拓墣产业研究所,2008/04

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